Prague, ວັນທີ 7 ມັງກອນ 2014 – Samsung, ຜູ້ນໍາຂອງໂລກໃນເຕັກໂນໂລຊີຄວາມຊົງຈໍາແລະການຜະລິດ, ໄດ້ນໍາສະເຫນີທໍາອິດ 8Gb ຫນ່ວຍຄວາມຈໍາມືຖື DRAM s ການບໍລິໂພກພະລັງງານຕໍ່າ LPDDR4 (ອັດຕາຂໍ້ມູນສອງເທົ່າພະລັງງານຕໍ່າ 4).
"LPDDR4 DRAM ລຸ້ນໃຫມ່ນີ້ຈະປະກອບສ່ວນຢ່າງຫຼວງຫຼາຍຕໍ່ການຂະຫຍາຍຕົວໄວຂອງຕະຫຼາດ DRAM ມືຖືທົ່ວໂລກ, ເຊິ່ງໃນໄວໆນີ້ຈະກວມເອົາສ່ວນແບ່ງທີ່ໃຫຍ່ທີ່ສຸດຂອງຕະຫຼາດ DRAM ທັງຫມົດ.,” Young-Hyun May, ຮອງປະທານບໍລິຫານທຸລະກິດ ແລະການຕະຫຼາດຂອງພະແນກຄວາມຊົງຈໍາຂອງ Samsung Electronics ກ່າວ. "ພວກເຮົາຈະພະຍາຍາມກ້າວໄປຂ້າງຫນ້າຜູ້ຜະລິດອື່ນໆແລະສືບຕໍ່ນໍາສະເຫນີ DRAM ມືຖືທີ່ທັນສະໄຫມເພື່ອໃຫ້ຜູ້ຜະລິດທົ່ວໂລກສາມາດແນະນໍາອຸປະກອນມືຖືໃຫມ່ໃນໄລຍະເວລາທີ່ສັ້ນທີ່ສຸດ.,” Young-Hyun May ກ່າວຕື່ມວ່າ.
ດ້ວຍຄຸນສົມບັດຂອງມັນເຊັ່ນ: ຄວາມຫນາແຫນ້ນຂອງຫນ່ວຍຄວາມຈໍາທີ່ສູງຂຶ້ນ, ປະສິດທິພາບສູງແລະປະສິດທິພາບພະລັງງານ, ຄວາມຊົງຈໍາໂທລະສັບມືຖື Samsung DRAM LPDDR4 ຈະຊ່ວຍໃຫ້ຜູ້ໃຊ້ສຸດທ້າຍໃຊ້ໄດ້. ຂັ້ນສູງ ຄໍາຮ້ອງສະຫມັກໄວແລະກ້ຽງ ແລະຍັງມີຄວາມສຸກ ຄວາມລະອຽດສູງກວ່າ ຈໍສະແດງຜົນ ດ້ວຍການໃຊ້ແບັດເຕີຣີໜ້ອຍລົງ.
ໜ່ວຍຄວາມຈຳມືຖື Samsung DRAM LPDDR4 ໃໝ່ທີ່ມີຄວາມຈຸ 8Gb ກຳລັງຖືກຜະລິດ ເຕັກໂນໂລຊີການຜະລິດ 20nm ແລະສະຫນອງຄວາມຈຸຂອງ 1 GB ໃນຫນຶ່ງຊິບ, ເຊິ່ງປະຈຸບັນມີຄວາມຫນາແຫນ້ນຂອງຄວາມຊົງຈໍາ DRAM ສູງສຸດ. ດ້ວຍສີ່ຊິບ, ແຕ່ລະຄົນມີຄວາມຈຸ 8 Gb, ກໍລະນີດຽວຈະໃຫ້ 4 GB ຂອງ LPDDR4, ລະດັບປະສິດທິພາບສູງສຸດທີ່ມີຢູ່.
ນອກຈາກນັ້ນ, LPDDR4 ໃຊ້ແຮງດັນຕໍ່າ Logic ແຮງດັນຕໍ່າ Swing ສິ້ນສຸດ (LVSTL) ການໂຕ້ຕອບ I/O, ເຊິ່ງ Samsung ໄດ້ອອກແບບໃນເບື້ອງຕົ້ນສໍາລັບ JEDEC. ຊິບໃຫມ່ບັນລຸຄວາມໄວການໂອນເຖິງ 3 Mbps, ຊຶ່ງເປັນສອງເທົ່າຂອງຄວາມໄວ LPDDR3 DRAMs ທີ່ຜະລິດໃນປັດຈຸບັນ. ຢ່າງໃດກໍຕາມ, ໃນເວລາດຽວກັນ ໃຊ້ພະລັງງານຫນ້ອຍລົງປະມານ 40%. ທີ່ແຮງດັນຂອງ 1,1 V.
ດ້ວຍຊິບໃຫມ່, Samsung ວາງແຜນທີ່ຈະສຸມໃສ່ບໍ່ພຽງແຕ່ໃນຕະຫຼາດມືຖືທີ່ນິຍົມ, ລວມທັງ ໂທລະສັບສະຫຼາດ UHD ມີຈໍສະແດງຜົນຂະຫນາດໃຫຍ່, ແຕ່ຍັງຢູ່ໃນ ເມັດ a ໂນ໊ດບຸ໊ກທີ່ບາງທີ່ສຸດ, ເຊິ່ງສະເຫນີໃຫ້ຈໍສະແດງຜົນສູງກວ່າຄວາມລະອຽດ Full-HD ສີ່ເທົ່າ, ແລະຍັງສູງ ລະບົບເຄືອຂ່າຍທີ່ມີປະສິດທິພາບ.
Samsung ແມ່ນຜູ້ພັດທະນາຊັ້ນນໍາຂອງເຕັກໂນໂລຊີ DRAM ມືຖື ແລະເປັນຜູ້ນໍາສ່ວນແບ່ງຕະຫຼາດໃນ DRAM ມືຖືດ້ວຍ 4Gb ແລະ 6Gb LPDDR3. ບໍລິສັດໄດ້ເລີ່ມຕົ້ນສະເຫນີ 3GB LPDDR3 (6Gb) ທີ່ບາງທີ່ສຸດແລະນ້ອຍທີ່ສຸດໃນເດືອນພະຈິກແລະກໍາລັງນໍາສະເຫນີໃຫມ່ 8Gb LPDDR4 DRAM ໃນປີ 2014. ຊິບ DRAM ມືຖື 8Gb ຈະຂະຫຍາຍຢ່າງໄວວາໃນຕະຫຼາດອຸປະກອນມືຖືຮຸ່ນຕໍ່ໄປໂດຍໃຊ້ຊິບ DRAM ທີ່ມີຄວາມຈຸສູງ.
