ໃນຖານະທີ່ເປັນຜູ້ຜະລິດໂປເຊດເຊີມືຖືທີ່ໃຫຍ່ທີ່ສຸດໃນໂລກ, Samsung ໄດ້ຮັບໂອກາດທີ່ເປັນເອກະລັກໃນການຜະລິດໂປເຊດເຊີ Snapdragon 830 ລຸ້ນ ໃໝ່, ເຊິ່ງເປັນຜູ້ສືບທອດໂດຍກົງຂອງ 820 ໃນປີນີ້, ເຊິ່ງຈະເປັນພະລັງງານລຸ້ນ ໃໝ່. Galaxy S7 ແລະຕົວແປທີ່ໂຄ້ງຂອງມັນ. ອີງຕາມແຫຼ່ງຂໍ້ມູນ, ໂປເຊດເຊີໃຫມ່ຄວນຈະຖືກຜະລິດໂດຍໃຊ້ຂະບວນການຜະລິດ 10-nm ທີ່ກ້າວຫນ້າ, ເຊິ່ງຈະເຮັດໃຫ້ຊິບນ້ອຍລົງ, ປະຫຍັດຫຼາຍແລະໃນເວລາດຽວກັນມີພະລັງ (ຫຼືມີອໍານາດຫຼາຍກວ່າ) ຫຼາຍກວ່າຊິບ 14nm ທີ່ໃຊ້ໃນທຸກມື້ນີ້. ໂຮງງານຜະລິດ.
ແຫຼ່ງຂ່າວຍັງອ້າງວ່າໂປເຊດເຊີຈະໃຊ້ສະຖາປັດຕະຍະກໍາ Kryo ທີ່ໄດ້ຮັບການປັບປຸງແລະຍັງຈະສະຫນັບສະຫນູນເຖິງ 8GB ຂອງ RAM, ເຊິ່ງເປັນສອງເທົ່າທີ່ພວກເຮົາພົບເຫັນຢູ່ໃນ. Galaxy S7. ອີງຕາມແຫຼ່ງຂໍ້ມູນ, ມັນຄວນຈະມີ 4GB ຂອງ RAM, ແລະມັນເບິ່ງຄືວ່າເປັນຂັ້ນຕອນທີ່ມີເຫດຜົນພິຈາລະນາວ່າແລ້ວ Galaxy ທັງ Note 5 ແລະ S6 edge+ ມີ RAM ຫຼາຍນີ້. ແນ່ນອນ, ພິຈາລະນາຄວາມອາດສາມາດສະຫນັບສະຫນູນສູງສຸດຂອງຫນ່ວຍຄວາມຈໍາປະຕິບັດງານ, ມັນເປັນທີ່ຊັດເຈນວ່າມັນເປັນໂປເຊດເຊີ 64-bit. ອຸປະກອນທໍາອິດທີ່ມີໂປເຊດເຊີ Snapdragon 830 ຄວນຈະປາກົດຢູ່ໃນຕະຫຼາດໃນໄຕມາດທໍາອິດຂອງປີ 2017, ປະມານເວລາທີ່ມັນຈະປະກາດ. Galaxy S8
