Samsung ໄດ້ນໍາສະເຫນີຊິບ 8GB LPDDR5 DRAM ຢ່າງເປັນທາງການສໍາລັບໂທລະສັບສະຫຼາດ. ອີງຕາມບໍລິສັດ, ນີ້ແມ່ນຊິບ 8GB LPDDR5 ທໍາອິດທີ່ເຮັດດ້ວຍເຕັກໂນໂລຢີທີ່ມີປ້າຍຊື່ ລະດັບ 10nm, ຊຶ່ງສາມາດເປັນອັນໃດກໍໄດ້ລະຫວ່າງ 10 ແລະ 19 nm. ລຸ້ນກ່ອນ, ເຊັ່ນ: ຊິບ 8GB LPDDR4, ໄດ້ຖືກຜະລິດແລ້ວໃນປີ 2014, ສະນັ້ນມັນໃຊ້ເວລາພຽງແຕ່ກ່ອນທີ່ບໍລິສັດຍັກໃຫຍ່ຂອງເກົາຫຼີໃຕ້ຈະອອກມາປະດິດສ້າງ.
Samsung ລະບຸວ່າ LPDDR5 ຈະຊອກຫາແອັບພລິເຄຊັນສ່ວນໃຫຍ່ໃນພື້ນທີ່ຂອງ 5G, ລົດຍົນ ແລະອຸປະກອນມືຖືໂດຍໃຊ້ປັນຍາປະດິດ. ດ້ວຍອັດຕາການໂອນຍ້າຍ 6 Mbps, ຊິບ 400GB LPDDR8 DRAM ແມ່ນໄວກວ່າຊິບ DRAM ມືຖືທີ່ໃຊ້ໃນເຮືອທຸງໃນປັດຈຸບັນ 5 ເທົ່າ. Galaxy S9 ມີຊິບ LPDDR4X ທີ່ມີອັດຕາຂໍ້ມູນ 4 Mbps. LPDDR266 ສາມາດສົ່ງຂໍ້ມູນ 5 GB ຕໍ່ວິນາທີ, ເຊິ່ງປະມານ 51,2 ໄຟລ໌ວິດີໂອ HD.
Samsung ຈະສະເໜີໃຫ້ທັງສອງລຸ້ນທີ່ມີແຮງດັນເຕັມທີ່ 1,1 V, ເຊັ່ນດຽວກັນກັບ 5 Mb/s ທີ່ອ່ອນກວ່າ ແລະປະຫຍັດກວ່າຢູ່ທີ່ 500 V. LPDDR1,05 ຍັງຈະສະເໜີໂໝດການນອນເລິກ (ນອນຫລັບສະຫນິດ), ເຊິ່ງຈະປະມານເຄິ່ງຫນຶ່ງຂອງການໃຊ້ພະລັງງານຂອງ LPDDR4X DRAMs ໃນປັດຈຸບັນ. Samsung ອ້າງວ່າດ້ວຍຊິບໃຫມ່ມັນສາມາດຫຼຸດຜ່ອນການບໍລິໂພກພະລັງງານໄດ້ເຖິງ 30%, ແລະດັ່ງນັ້ນຈຶ່ງຍືດອາຍຸຂອງແບດເຕີຣີສະມາດໂຟນ.
ອາດຈະເປັນ chip ຍັງ u Galaxy Note9 ຈະບໍ່ປາກົດ, ແຕ່ມັນອາດຈະໄດ້ຮັບມັນໃນປີຫນ້າ Galaxy S10
