ໃນຖານຂໍ້ມູນຂອງມາດຕະຖານທີ່ນິຍົມ Geekbench 5, ຜົນໄດ້ຮັບທໍາອິດຂອງຮູບແບບພື້ນຖານຂອງຊຸດ flagship ຕໍ່ໄປຂອງ Samsung ປາກົດຂຶ້ນ. Galaxy S23. ໂທລະສັບມີປ້າຍຊື່ SM-S911U, ເຊິ່ງຄາດວ່າຈະເປັນຮຸ່ນສະຫະລັດ, ແລະເບິ່ງຄືວ່າໄດ້ທົດສອບກັບຊິບເຮືອທຸງຕໍ່ໄປຂອງ Qualcomm. Snapdragon 8 Gen2.
Galaxy S23 ໄດ້ຄະແນນ 1524 ໃນການທົດສອບ single-core, ແລະ 4597 ຈຸດໃນການທົດສອບ multi-core. ສໍາລັບການປຽບທຽບ: Galaxy S22 ດ້ວຍຊິບ Snapdragon 8 Gen 1, ມັນບັນລຸປະມານ 1200, ຫຼື 3200 ຄະແນນ, ໃນຂະນະທີ່ອຸປະກອນທີ່ມີຊິບເຮືອທຸງ Qualcomm Snapdragon 8+ Gen 1 ປະຈຸບັນປົກກະຕິໄດ້ຄະແນນປະມານ 1300 ຫຼື. 4200 ຄະແນນ.
ຮູບຖ່າຍ
ການທົດສອບຍັງສະແດງໃຫ້ເຫັນວ່າ Galaxy S23 ຈະມີ RAM 8 GB (ຄືກັນ Galaxy S22) ວ່າມັນຈະບໍ່ແປກໃຈທີ່ຈະໄດ້ຮັບການຂັບເຄື່ອນໂດຍຊອບແວ Android 13 ແລະການເຮັດວຽກຂອງກາຟິກຈະຖືກຈັດການໂດຍຊິບ Adreno 740 (ຊິບ Snapdragon 8 Gen 1 ແລະ 8+ Gen 1 ໃຊ້ Adreno 730).
ເຈົ້າສາມາດສົນໃຈ
ອີງຕາມການຮົ່ວໄຫລມາເຖິງຕອນນັ້ນ, ລາວຈະມີ Galaxy S23 ສູງກວ່າເລັກນ້ອຍ ຄວາມອາດສາມາດ ແບດເຕີຣີຫຼາຍກ່ວາລຸ້ນກ່ອນແລະ (ຄືກັບລຸ້ນອື່ນໆໃນຊຸດ) ປະຕິບັດຄືກັນ ຂະຫນາດ ເຖິງແມ່ນວ່າຂະຫນາດຈໍສະແດງຜົນດຽວກັນ. ຊຸດດັ່ງກ່າວຄາດວ່າຈະເປີດຕົວໃນເດືອນມັງກອນຫຼືເດືອນກຸມພາປີຫນ້າ.
